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[新聞] iPhone15 Pro過熱恐是台積電3奈米製程造成三星有機可乘
韓媒:iPhone 15 Pro過熱恐是台積電3奈米製程造成 三星有機可乘
南韓媒體引述產業人士與外國媒體25日的報導指出,蘋果iPhone 15 Pro高階新機已陷入
行動晶片A17 Pro過熱的爭議,而這款晶片是台積電以3奈米製程生產。報導認為,在台積
電3奈米製程憂慮與建廠進度延誤之際,三星電子或許有可乘之機。
BusinessKorea報導,一名中國大陸用戶聲稱,在用iPhone 15 Pro玩硬體需求高的遊戲後
,這支手機的溫度在30分鐘內飆升到攝氏48度。這類半導體晶片過熱通常暗示設計瑕疵、
或是製程出現未能避免電力外洩等問題。
報導指出,一些南韓產業人士審慎認為,台積電的3奈米製程可能有點問題。這項揣測的
背後因素之一,為傳統的鰭式場效電晶體(FinFET)製程已觸及微型化限制。這項2011年
推出的技術,已在FinFET技術大師台積電的領導下,穩定縮減到4奈米製程。
然而,隨著晶片尺寸接近3奈米以下領域,運用FinFET方法的電流控制挑戰升高。更大的
憂慮在於,若台積電的第一代3奈米產品出現瑕疵,根據相同技術的後續製程也可能遭遇
問題。台積電已宣布好幾項後續的3奈米製程,包括第二代的N3E。
先前,三星電子的5奈米製程便面臨挑戰,也在後續的5奈米與類似的4奈米製程遭遇挫敗
,Galaxy S22手機搭載的晶片出現過熱問題,之後高通等大客戶都轉單給台積電,因此台
積電和三星電子上季的市占率差距擴大到超過50.3個百分點。
力圖重新振作的三星電子,已宣布3奈米製程轉向環繞閘極電晶體(GAA)架構,因GAA架
構的控制介面增強,能夠更細緻控制電流、減少能耗,並提高性能效益約10%。
Hi投資與證券公司指出,三星電子的3奈米製程良率推估已超過60%。相較下,台積電的3
奈米製程良率約為55%。
BusinessKorea指出,有人認為,若台積電3奈米製程的憂慮持續,大客戶可能同時採用、
或轉向三星電子的技術。台積電已坦承FinFET技術的極限,2奈米製程將轉向GAA架構,但
轉型可能延後,因為台積電原本計劃2024年前生產2奈米製程產品原型、2025年量產2奈米
半導體,台灣的2奈米工廠建廠正遭延誤。
https://udn.com/news/story/6811/7465815
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