Re: [情報] Intel Roadmap to 2025

※ 引述《minazukimaya (水無月真夜)》之銘言： : 1. 標題： : Intel Accelerated : 2. 來源： : Intel官網 : 3. 網址： : https://www.intel.com/content/www/us/en/events/accelerated.html : 4. 內文： : Intel釋出至2025的製程及先進封裝路線圖 : 以下幾點個人分析 : 1. Intel的戰略目標是要搶佔三星的生態位 : 這段期間大部份的分析師都是著重在討論tsmc和Intel之間的代工議題 : 但公開表態往往是為了隱藏一些真實的意圖 : 從Intel近期的各種操作來看，表面上是要追趕tsmc重新取得技術領導權 : 實際上目標應該是要擠佔三星foundry的地位 : 像是重新命名node和Pat投書POLITICO這種「純粹的公關表演」 : 其背後的意圖都是在打擊三星的代工生意 : 2. 新的命名掩蓋了技術規格的變更 : Intel現在不談密度，改談Perf/Watt了 : 其實是也算合理，畢竟密度不是一個很好的量尺 : 7->4 20% 4->3 18% : 從這兩個數字看起來，相比原本的7nm/7nm+ (對應到新的4/3) : 調降了4的技術規格，以便能在2022年順利推出 : 相對來說3在不作整體scaling的情況下要達到18%的Perf/Watt改進 : 能不能在2023推出有點微妙 : 但總體來說是比原本那個規格現實一點，至少是有機會達成的RoadMap : 當然Intel也學壞了，在node命名上有稍微偷吃步的嫌疑 : 新的4大概和tsmc的N5P差不多，新的3大概會比N3差一點 : 但公允來說，差距並不大 : 比起三星的4LPE(改名後的5LPA) 實際上還不如N5好多了.. : 總而言之，Intel 重新命名後對於同一個數字的node : Perf/Watt大致上會是tsmc > Intel > Samsung : 當然再次強調差距並不大 : 3. 20A的時程是2024年 (!?) : 老實說這是超級激進的時程 : 而且用詞上有種拿risk production來宣傳的嫌疑 : 當然Intel公關部門有績效壓力 : 但這該不會是三星那種「預設就是要delay」的Roadmap吧... : 沒有公佈Perf/Watt的改進 : 不過不太可能達到IBM 2nm的那個規格 : 我猜最後大概也是略差tsmc的2nm一點 : RoadMap符合Intel說的「要在2024年追上」 : 目前的投影片上看起來是有追上 : 我個人是覺得20A和18A的進度太樂觀了，即使有IBM和ASML幫忙 : 4. 先進封裝的進度讓人失望 : 因為Pat剛上任的演說對於先進封裝的進度十分滿意 : 我一度以為Intel有藏招 : 不過目前看起來2023年Foveros Direct的規格 : 還不如AMD今年就要用的TSMC-SoIC (AMD用在VCache上) : 從AMD的路線圖來看，把L3疊在運算核心上是個方向 : SRAM die分開製造有很好的成本效益 : 例如說邏輯運算用2nm GAA製程、SRAM用3nm的高密度製程 : Intel受限於封裝技術的進度，可能會晚一代才導入這樣的設計 : (而且..我感覺Intel那個PowerVia最後會在封裝上搞到自己) : Fab-lite的經營模式下設計部門要配合製造部門的腳步 : 無法放開手腳去設計，會是個長期隱憂 : 所以AMD最後還是痛定思痛把GF放生了XD : 5. Intel到底是下什麼東西到tsmc的N3？ : 如果真的是MTL/GNR要下到N3，同時也會用I4作 : 可能是高階用N3，低階先I4，等2023年I3量產再把高階拉回家作...? : 這種產品策略在公關上會是重傷，高階先外包不知道要怎麼圓回來 : 當然也有可能是某種還沒公佈的HPC產品(GPU/DPU或MobileEye)下在N3 : 最後一種可能，就是Intel下N3是芭樂傳言 : 不過有好幾個消息來源都提到這件事，感覺不是假的 : 6. 題外話，關於政治風向 : 美國政府的立場和Intel的立場顯然有差異 : 不然也不需要法案過了之後再用投書來作公關表態 : 投書只是放話，真正實質的利益都是要lobbyist喬的 : 這也蠻合理的，美國政府要考慮的棋局比Intel的複雜多了 : 不可能只顧及Intel的商業利益 : 從產業現實面來看，電子消費品的產業鏈不是只有半導體一個關鍵環節 : 有很多東西根本不可能在美國作的 : 最終就像Morris說的，可能會浪費了許多時間金錢人力之後 : 還是達不到一個自給自足的結果 : 電子科技業是以「矽谷作為大腦、日韓台作為心臟」這樣的形式存在的 : 當心臟曝露在危險中，合理的選擇是穿件防彈衣，不是動心臟移殖手術 : 我感覺美國政府終究還是會認清現實 : 另外李在鎔的特赦案，以及韓國明年大選的結果 : 可能都會牽動整個半導體產業的競合賽局.. Intel 10nm 現有產品 Intel 7 強化10nm 基本上就是墊檔 Intel 4 更小的FinFET 引入EUV 相當於TSMC的5nm 以時程上來講 基本上是追不上TSMC 但對Intel來說很重要 如果能照時程發表 代表還看得到車尾燈 Intel 3 EUV+ 墊檔用 Intel 20A power via 和 GAA Intel全部賭注都在這個node 因為TSMC 要到N2才會引入 完全換架構 大家都重新站在起跑點上 傳統上power supply基本上要經過15-20層的金屬導線 才能傳到元件本身 在微縮成30nm一下 via/contact resistance通常都很驚人的高 大部分損耗其實都在這些線上 有效電壓傳到底層元件 通常都不足0.8V gate沒辦法很好控制通道 所以短通道效應會很嚴重 所以解法就是兩種 1. 更好gate control的元件 Planar MOSFET -> FinFET -> GAA 2. 減少寄生電容電阻 把power line移到背面 所以可以同時用兩面把電力傳進去 減少電阻 同時還可以用更寬的線寬 未知數就是散熱 總結來說 intel 說3-5年才能追上基本上就是反映新的road map 放推FinFET只要跟上就好 賭20A重返榮耀 新的roadmap就是學其他公司 以intel以前到個性 絕對是不會擺出那些墊檔node 現在他們學乖了 至少有些比較簡單的node 讓大家覺得公司有在進步 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 71.238.44.193 (美國) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1627401371.A.8FB.html