[新聞] 三星電子 HBM 晶片據悉未能通過 Nvidia 測試 因有發熱和功耗問題

三星電子 HBM 晶片據悉未能通過 Nvidia 測試 因有發熱和功耗問題 2024/05/24 07:38:45 經濟日報 編譯季晶晶／綜合外電 三星電子最新的高頻寬記憶體（HBM）晶片因發熱和功耗問題，尚未能通過輝達（Nvidia ）的測試。 路透報導，根據三位知情人士，這些問題影響到三星的HBM3晶片（這是目前AI繪圖處理器 （GPU）中使用最多的第四代HBM標準），以及這家南韓科技巨擘及其競爭對手今年推向市 場的第五代HBM3E晶片。 三星提供聲明給路透說，HBM是一種客製化記憶體產品，需「根據客戶需求進行優化」， 並補充說，三星正透過與客戶的密切合作來優化產品。該公司拒絕就特定客戶置評。 Nvidia謝絕評論。 Nvidia在全球AI應用GPU的市占率大約是80%，滿足Nvidia的需求被視為HBM製造商未來成 長的關鍵，聲譽或利潤皆然。 三位消息人士透露，三星去年開始一直努力想通過Nvidia對HBM3和HBM3E的測試。其中兩 位透露，最近一次對三星8層和12層HBM3E晶片測試的失敗結果是在4月出爐。 這些問題是否易於解決，目前還不明朗。但三位消息人士說，未能達到Nvidia的要求標準 ，增加了業界和投資人的擔憂，三星可能在HBM方面進一步落後競爭對手SK海力士和美光 科技。 https://reurl.cc/0vKAX9 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 175.98.141.254 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1716509122.A.A2D.html