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[新聞] 梁孟松操刀 傳中芯以DUV開發3奈米
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記者吳孟峰/綜合報導〕據《日經新聞》報導,儘管中國中芯國際由於美國制裁而無法獲得先進的晶片生產設備,在開發7奈米製造後,據稱已成立一個研發團隊,致力於5奈米和3奈米級製程技術研究,據兩位知情人士透露,該團隊由聯合執行長梁孟松領導。
梁孟松是台積電前資深研發處長,他於2009年初離開台積電後,率多位團隊成員投效韓國三星,涉洩漏台積電營業秘密及人事資料,之後又被中芯國際挖角,2017年擔任中芯聯合首席執行官,替中芯開發7奈米製程技術,對於被外界稱為台積電叛將,他曾不滿被貼上標籤,哽咽表示為台積電賣命16年。
不過,台積電前首席法律顧問杜東佑(Dick Thurston) 今年早些時候曾告訴科技媒體EE Times,他說 :「沒有比這個人(梁孟松)更聰明的科學家或工程師了」、「他確實是我在半導體領域見過的最聰明的人之一」。
中芯國際從中國的一家小型代工廠到成為業界第5大晶片代工商,在中美關係日益緊張的情況下,該公司被列入美國商務部實體名單,無法使用領先的晶圓廠工具,嚴重減緩新製程技術的採用和發展進度。
科技媒體tomshardware報導,由於中芯無法從ASML獲得極紫外線(EUV)曝光設備,因此只能借重第二代7奈米製程深紫外線(DUV)曝光機。目前,ASML的Twinscan NXT:2000i曝光機是中芯所擁有的最好的工具,可以蝕刻精細至38nm的生產解析度,精度等級足以適用7奈米級製造。根據ASML和IMEC的數據,在5奈米製程中,金屬間距縮小至30–32nm,在3奈米製程中,金屬間距則降至21–24nm。
Thurston認為,在聯合執行長梁孟松的領導下,中芯可以在不使用EUV工具的情況下生產5奈米晶片,雖然業界也已多次聽到這類消息,然而,從媒體上傳出中芯有能力設計以DUV製造3奈米級,這可能還算是第一次。
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