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[新聞] 電晶體微縮...英特爾大突破
https://www.chinatimes.com/newspapers/20231213000180-260202?chdtv
電晶體微縮...英特爾大突破
04:10 2023/12/13 工商時報 陳穎芃 、綜合外電
英特爾為了在半導體市場重拾競爭力,近日在年度IEEE國際電子元件會議(IEDM)上發表
多項新一代電晶體微縮技術突破,其中最大亮點,是晶片背部供電及直接背部接觸的3D堆
疊互補金屬氧化物半導體(CMOS)電晶體,有助英特爾朝4年5節點的目標邁進。
隨著電腦運算需求急速擴大,英特爾近年不斷設法延續摩爾定律,並訂下4年5節點的計畫
,宣稱未來新晶片設計的規格單位將不再侷限於奈米,而是進入埃米時代(Angstrom Era
)。
英特爾先前已宣布明年推出的20埃米(20A)節點將運用新一代RibbonFET技術,這次在
IEEE國際電子元件會議上又發表更新技術,那就是晶片背部供電及直接背部接觸的3D堆疊
CMOS電晶體。
英特爾在會中展示,這項創新技術能在小至60奈米的微縮閘極間距垂直堆疊互補場效電晶
體(CFET),大幅提升空間效率。
英特爾表示,晶片背部供電及直接背部接觸的3D堆疊CMOS電晶體能將處理器電力互連元件
移至晶片背面,換言之晶片正面能容納更多資料傳輸元件,況且電力互連元件的體積也能
擴大,相對減少電阻。
事實上,英特爾早在兩年前就為3D堆疊CMOS電晶體申請專利,但在今年5月ITF World大會
上才首度公開3D堆疊電晶體研發計畫。英特爾近日公布的製程技術藍圖一再強調電晶體微
縮技術創新,其中PowerVia晶片背面供電技術已經預定明年量產。
#堆疊 #CMOS #供電 #元件 #電晶體
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