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[新聞] 韓國│三星在美設實驗室 研發新3D DRAM

留言22則留言,17人參與討論
推噓12 ( 1318 )
原文標題: 韓國│三星在美設實驗室 研發新3D DRAM 原文連結: https://www.ctee.com.tw/news/20240129700016-430705 發布時間: 2024.01.29 03:00 記者署名: ※原文無記載者得留空 原文內容: 業界人士指出,三星在美國設立實驗室,致力開發新一代3D DRAM。該實驗室隸屬總部位 於美國矽谷、負責三星在美國半導體生產的Device Solutions America,將負責開發升級 的DRAM模型,讓三星在全球3D記憶體晶片市場能居於領先地位。 心得/評論: 在這AI的時代 記憶體尤為重要 三星能做HBM 接下來就是3D DRAM了 3D DRAM能大幅提升容量 非常符合AI的需求 三星電子股價今天+1.36% -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.44.237.135 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1706509445.A.F76.html

22 則留言

kenet123, 1F
愛普:

kducky, 2F
三星被掏空了QQ
※ 編輯: madeinheaven (114.44.237.135 臺灣), 01/29/2024 14:28:00

aegis43210, 3F
問題是要用什麼方案,EUV太貴,佳能的方案可以嘗試

aegis43210, 4F
但前途未卜

aegis43210, 5F
科林的乾式光阻也可以嘗試,但最好找SK海力士一起進

aegis43210, 6F
來玩,不然無法規模化

chinaeatshit, 7F
反觀

ethan0419, 8F
美又贏

mynumber55, 9F
美星

joe0934, 10F
世界的三星

lonzoball02, 11F
今天擎亞在漲這個嗎

Aerci, 12F
挖 韓國要菲律賓化了

KrisNYC, 13F
三樓真的有料 每次來看半導體都等著看三樓推文

tpegioe, 14F
Micron:?

Tenging, 15F
海力士征服宇宙

LDPC, 16F
海力士上頭SK集團少主最近醜聞也真是狂 韓國真的狂

LDPC, 17F
QQ搞錯了 最近醜聞是LG少主

negohsu, 18F
intel表示,我的PMem已經是3D DRAM

negohsu, 19F
容量還高達512GB唷,啾咪。

losage, 20F
這樣算美國技術還是韓國技術??

pf775, 21F
韓國人有技術?
※ 編輯: madeinheaven (114.44.237.135 臺灣), 01/29/2024 17:36:57

lc85301, 22F
淘空三星

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