[新聞] iPhone 15 Pro過熱 問題出在台積電3奈米

原文標題： iPhone 15 Pro過熱 問題出在台積電3奈米？韓媒：三星撿到槍 ※請勿刪減原文標題 原文連結：https://reurl.cc/v6mnLe ※網址超過一行過長請用縮網址工具 發布時間：2023.09.26 14:38 ※請以原文網頁/報紙之發布時間為準 記者署名：中時新聞網 邱怡 ※原文無記載者得留空 原文內容： 蘋果推出iPhone 15 Pro系列頻頻爆出過熱問題，韓媒BusinessKorea撰文指出， 過熱恐怕跟台積電以3奈米製程技術代工的A17 Pro處理器有關，三星或許有可乘之機 。 有大陸用戶近日反映，用iPhone 15 Pro執行高階遊戲後，30分鐘內手機溫度竟然 飆升至4 8度C，報導指出，晶片的這種過熱現象，通常表示製程存在設計缺陷，例如未能控制 漏電 流(power leakage)。 報導引述業內人士說法指出，台積電的製程可能有問題，這種懷疑背後的一個原因是，有 些人認為傳統的「鰭式場效電晶體(FinFET)」製程已經達到了極限。該項技術在2011年推 出，直到4奈米為止都是晶片設計不可或缺的技術，台積電被譽為FinFET工藝大師，一直 引領業界，然而，一旦製程升級至3奈米以下，以FinFET技術控制電流變得極具挑戰性。 更大的擔憂是，如果第一代3奈米產品有缺陷，基於相同技術的後續製程也可能會 有問題。而台積電已宣布推出數個3奈米後續製程，包括接續第一代「N3B」的第二代「N3 E」。 報導提到，三星電子先前在5奈米製程上面臨挑戰，並在後續的5奈米接續製程及類似的4 奈米製程遭遇挫折，這也導致Galaxy S22內建的晶片面臨過熱問題，最終促使高通等大客 戶轉單台積電，使台積電、三星的市占差距在上一季拉開50.3個百分點。 三星為了挽回頹勢，後將3奈米改為「環繞式閘極」(GAA)製程，這種架構有更多控制介面 ，能改善電流控制、減少電力消耗，並將性能效率提升約10%。 根據Hi Investment & Securities預計，三星3奈米良率將超過60%，相比之下，台積電的 3奈米良率約為55%，有人擔心，如果市場對台積電3奈米製程良率存疑，主要客戶可能會 同時採用或轉向三星產品。 報導稱，台積電已坦承FinFET的侷限性，並宣布2奈米也會轉換至GAA製程。不過，這項舉 措可能會延後，因為台積電最初計劃在2025年大規模量產2奈米晶片，但在台灣的2奈米工 廠建設卻出現延遲。 心得/評論：台積引以為傲處理器竟然會發熱？是三奈米的問題嗎？以往大家都不要三星 處理器的iphone，這次燒蘋果事件，這回三星勝利？ ※必需填寫滿30正體中文字，無意義者板規處分 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.73.238.125 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1695717760.A.F1B.html