[新聞] iPhone 15 Pro過熱 問題出在台積電3奈米

【新聞來源】 原網址：https://www.ctee.com.tw/news/20230926701085-430704?utm_medium=Push&utm _source=APP 短網址：https://reurl.cc/v6mnLe 【新聞內容】 2023.09.26 14:38 中時新聞網 【中時新聞網 邱怡萱】蘋果推出iPhone 15 Pro系列頻頻爆出過熱問題，韓媒BusinessKo rea撰文指出，過熱恐怕跟台積電以3奈米製程技術代工的A17 Pro處理器有關，三星或許 有可乘之機。 有大陸用戶近日反映，用iPhone 15 Pro執行高階遊戲後，30分鐘內手機溫度竟然飆升至4 8度C，報導指出，晶片的這種過熱現象，通常表示製程存在設計缺陷，例如未能控制漏電 流(power leakage)。 報導引述業內人士說法指出，台積電的製程可能有問題，這種懷疑背後的一個原因是，有 些人認為傳統的「鰭式場效電晶體(FinFET)」製程已經達到了極限。該項技術在2011年推 出，直到4奈米為止都是晶片設計不可或缺的技術，台積電被譽為FinFET工藝大師，一直 引領業界，然而，一旦製程升級至3奈米以下，以FinFET技術控制電流變得極具挑戰性。 更大的擔憂是，如果第一代3奈米產品有缺陷，基於相同技術的後續製程也可能會有問題 。而台積電已宣布推出數個3奈米後續製程，包括接續第一代「N3B」的第二代「N3E」。 報導提到，三星電子先前在5奈米製程上面臨挑戰，並在後續的5奈米接續製程及類似的4 奈米製程遭遇挫折，這也導致Galaxy S22內建的晶片面臨過熱問題，最終促使高通等大客 戶轉單台積電，使台積電、三星的市占差距在上一季拉開50.3個百分點。 三星為了挽回頹勢，後將3奈米改為「環繞式閘極」(GAA)製程，這種架構有更多控制介面 ，能改善電流控制、減少電力消耗，並將性能效率提升約10%。 根據Hi Investment & Securities預計，三星3奈米良率將超過60%，相比之下，台積電的 3奈米良率約為55%，有人擔心，如果市場對台積電3奈米製程良率存疑，主要客戶可能會 同時採用或轉向三星產品。 報導稱，台積電已坦承FinFET的侷限性，並宣布2奈米也會轉換至GAA製程。不過，這項舉 措可能會延後，因為台積電最初計劃在2025年大規模量產2奈米晶片，但在台灣的2奈米工 廠建設卻出現延遲。 【觀後心得】 果粉根本不在乎，高效能就會發燙 不怕不怕。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.76.126.48 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/iOS/M.1695718748.A.023.html