[新聞] 韓媒：iPhone 15 Pro過熱恐是台積電3奈米製程造成 三星有機可乘

1.媒體來源: 聯合 2.記者署名: 簡國帆 3.完整新聞標題: 韓媒：iPhone 15 Pro過熱恐是台積電3奈米製程造成 三星有機可乘 4.完整新聞內文: 南韓媒體引述產業人士與外國媒體25日的報導指出，蘋果iPhone 15 Pro高階新機已陷入 行動晶片A17 Pro過熱的爭議，而這款晶片是台積電以3奈米製程生產。報導認為，在台積 電3奈米製程憂慮與建廠進度延誤之際，三星電子或許有可乘之機。 BusinessKorea報導，一名中國大陸用戶聲稱，在用iPhone 15 Pro玩硬體需求高的遊戲後 ，這支手機的溫度在30分鐘內飆升到攝氏48度。這類半導體晶片過熱通常暗示設計瑕疵、 或是製程出現未能避免電力外洩等問題。 報導指出，一些南韓產業人士審慎認為，台積電的3奈米製程可能有點問題。這項揣測的 背後因素之一，為傳統的鰭式場效電晶體（FinFET）製程已觸及微型化限制。這項2011年 推出的技術，已在FinFET技術大師台積電的領導下，穩定縮減到4奈米製程。 然而，隨著晶片尺寸接近3奈米以下領域，運用FinFET方法的電流控制挑戰升高。更大的 憂慮在於，若台積電的第一代3奈米產品出現瑕疵，根據相同技術的後續製程也可能遭遇 問題。台積電已宣布好幾項後續的3奈米製程，包括第二代的N3E。 先前，三星電子的5奈米製程便面臨挑戰，也在後續的5奈米與類似的4奈米製程遭遇挫敗 ，Galaxy S22手機搭載的晶片出現過熱問題，之後高通等大客戶都轉單給台積電，因此台 積電和三星電子上季的市占率差距擴大到超過50.3個百分點。 力圖重新振作的三星電子，已宣布3奈米製程轉向環繞閘極電晶體（GAA）架構，因GAA架 構的控制介面增強，能夠更細緻控制電流、減少能耗，並提高性能效益約10%。 Hi投資與證券公司指出，三星電子的3奈米製程良率推估已超過60%。相較下，台積電的3 奈米製程良率約為55%。 BusinessKorea指出，有人認為，若台積電3奈米製程的憂慮持續，大客戶可能同時採用、 或轉向三星電子的技術。台積電已坦承FinFET技術的極限，2奈米製程將轉向GAA架構，但 轉型可能延後，因為台積電原本計劃2024年前生產2奈米製程產品原型、2025年量產2奈米 半導體，台灣的2奈米工廠建廠正遭延誤。 5.完整新聞連結 (或短網址)不可用YAHOO、LINE、MSN等轉載媒體: https://udn.com/news/story/6811/7465815 6.備註: 蘋果的設計一定沒問題 所以這次一定是GG的鍋! ! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 111.253.129.25 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Gossiping/M.1695712278.A.7B2.html