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[問卦] 高階製程的晶片用低階做的出來嗎?

時間
最新2023-09-13 15:20:00
留言51則留言,17人參與討論
推噓10 ( 10041 )
如題 想問一下 晶片在設計時是先選定要用什麼樣的製程,再以這個等級的製程做基礎去設計嗎? 也就是說先選定要用3奈米製程,再以3奈米製程能達到的晶體管規模為基礎去設計晶片, 一旦不是使用原先預定要使用的製程就做不出來? 還是說其實一樣可以用稍微落後一點的製程(例如5奈米)去製造出原先設計的產品 只是說產出的晶片體積會比較大,性能會稍微落後而已? 有相關的卦嗎? ----- Sent from JPTT on my iPhone -- [閒聊] 巴哈動畫瘋付費率穩定上升!!
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那你摳腳幹嘛昭告天下?https://imgur.com/fFoeTXo.jpg
[問卦] 高階製程的晶片用低階做的出來嗎?
-- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 223.136.79.116 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Gossiping/M.1694579610.A.AB5.html

51 則留言

ZakkWylde, 1F
當然啊..不然model不準模擬跑爽的?49.216.90.119

ArSaBuLu, 2F
歹竹中出好荀沒聽過膩112.78.71.175
※ 編輯: three88720 (223.136.79.116 臺灣), 09/13/2023 12:34:54

rick102233, 3F
設計時就考量生產的技術節點了-.-114.137.226.254

haha7456, 4F
三星的稍微落後都不知道幾年的差距了42.76.102.252

TopGun2, 5F
奈米屌可以放進古井。但是象跋放不進吸42.76.53.131

TopGun2, 6F
42.76.53.131

rick102233, 7F
設計一個沒人做得出來的是在?114.137.226.254

Samurai, 8F
IC設計是跟晶圓廠拿對應製程的model做,42.74.227.56

Samurai, 9F
不同製程等於砍掉重練42.74.227.56

harkk2001, 10F
體積?你知道奈米這邊的意思是什麼嗎?223.136.54.227

apatosaurus, 11F
低階製程速度上不去而且會過熱,熱101.12.31.5

harkk2001, 12F
意思是用奈米等級在矽晶上刻蝕線路223.136.54.227

apatosaurus, 13F
到錫球融化101.12.31.5

ChungLi5566, 14F
EDA軟體會把IC設計的東西轉成製程223.140.216.21

harkk2001, 15F
為什麼要用紫光來在塗層上線路你知道223.136.54.227

harkk2001, 16F
嗎?223.136.54.227

frommr, 17F
光線圖就ㄅ知道差到那裡去惹,更別說機台106.64.48.241

frommr, 18F
106.64.48.241

harkk2001, 19F
因為黃橙黃綠藍靛紫,紫是光譜中最細223.136.54.227

harkk2001, 20F
的,這樣你懂嗎223.136.54.227

harkk2001, 21F
極紫光用的就是紫光打在矽晶片的化學223.136.54.227

harkk2001, 22F
圖層上做成像是電路板的線路,層層堆223.136.54.227

ArSaBuLu, 23F
幹嘛黃兩剌112.78.71.175

harkk2001, 24F
疊,幾億條的存在,所以說體積的概念223.136.54.227

harkk2001, 25F
不正確223.136.54.227

three88720, 26F
了解了,看來真的做不出來223.136.79.116

three88720, 27F
主要是看到有人在討論說說不定A17pro223.136.79.116

three88720, 28F
可以用低階製程變成A17給明年的手機用223.136.79.116

three88720, 29F
,看到當下覺得有點奇妙,所以上來板223.136.79.116

three88720, 30F
上問一下可行性223.136.79.116

icome, 31F
做得出來不代表能商轉42.72.162.223

harkk2001, 32F
刻蝕線路可以用很多辦法達成,但是艾223.136.54.227

harkk2001, 33F
斯摩爾跟台積的專利就是用光去轟擊某223.136.54.227

harkk2001, 34F
個金屬離子產生極紫光,可以產生3納米223.136.54.227

harkk2001, 35F
的光線刻在塗層上,但是並不代表別的223.136.54.227

harkk2001, 36F
刻蝕方法不能達到把幾億條線路用堆疊223.136.54.227

harkk2001, 37F
的方式劃在一個晶片上,這也是intel說223.136.54.227

harkk2001, 38F
的我10奈米的效能等同台積7納米的效能223.136.54.227

dferww55, 39F
稍微修改一下可以,以前蘋果同一個soc122.116.143.38

dferww55, 40F
分給三星跟台積做,兩家製程模型也不一122.116.143.38

dferww55, 41F
122.116.143.38

dferww55, 42F
當然你製程不能差太多,5nm退到14nm,122.116.143.38

dferww55, 43F
這就不可能122.116.143.38

turorach, 44F
某些情況下可以,但通常還是要稍微調整1.161.185.228

analyzer, 45F
開案時選定製程、晶片裸DIE大小、內含有114.137.191.163

analyzer, 46F
什麼功能。功能不變降低製程規格就塞不114.137.191.163

analyzer, 47F
下原本規劃大小除非晶片裸DIE面積也變大114.137.191.163

mastoid, 48F
intel跟gg是線寬定義不同 才有10nm vs 739.15.41.130

mastoid, 49F
nm的說法39.15.41.130

bbat, 50F

bbat, 51F

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