[新聞] 半導體“2納米戰爭”……韓美日等的生存

備註請放最後面 違者新聞文章刪除 1.媒體來源: ※ 例如蘋果日報、自由時報（請參考版規下方的核准媒體名單） ※ Yahoo、MSN、LINE等非直接官方新聞連結不被允許 東亞日報 2.記者署名: ※ 若新聞沒有記者名字或編輯名字，請勿張貼，否則會被水桶14天 ※ 外電至少要有來源或編輯 如:法新社 郭道英 now@donga.com 3.完整新聞標題: ※ 標題沒有完整寫出來 ---> 依照板規刪除文章 半導體“2納米戰爭”……韓美日等的生存之戰 4.完整新聞內文: ※ 社論特稿都不能貼！違者刪除（政治類水桶3個月)，貼廣告也會被刪除喔！可詳看版規 27日（當地時間），三星電子在“三星晶圓代工論壇2023”上發表詳細發表各產品群的2 納米量產計劃，可以解釋為已經確保了主要客戶公司。三星電子以Gate All Around（GAA ‧全環繞柵極晶體管）晶體管技術為基礎的超細微工藝，與臺灣TSMC（臺積電）等不同。 ● 三星推出GAA工藝，有望超越TSMC 三星電子半導體（DS）部門負責人（社長）桂京賢最近表示：“顧客對GAA的反應非常好 ”，“雖然不能提及顧客公司的名字，但幾乎所有值得了解的企業都在壹起工作。”三星 電子會長李在也在今年上半年（1~6月）接連會見了特斯拉首席執行官（CEO）埃隆‧馬 斯克、英偉達（NVDA）CEO黃仁勛等，啟動了全球網絡。 在全球晶圓代工（半導體委托生產）戰爭中，後起之秀三星電子今年第壹季度（1~3月） 的占有率僅為12%左右。雖然位居世界第二，與占有率超過60%的臺灣TSMC的差距太大。三 星電子將新壹代革新技術GAA作為新的武器。GAA是繼現有的“FinFET（鰭式場效應晶體管 ）”之後出現的新壹代晶體管結構，與FinFET工藝相比，可以提高數據處理速度和電力效 率等。三星電子在去年6月批量生產3納米產品時，在世界上首次使用了GAA工藝。去年下 半年（7~12月）開始批量生產3納米產品的TSMC采用了現有的FinFET工藝，選擇首先確保 穩定的投入產出比率。 對此，很多人評價說，在3納米初期的投入產出率競爭和顧客公司確保戰中，三星電子落 後於TSMC。但也有分析認為，如果TSMC首次使用2納米工藝，那麽積累量產經驗的三星將 更有利。景社長在上個月的KAIST演講中表示：“目前三星電子的4納米技術力比TSMC落後 2年，3納米技術落後1年左右”，“而壹旦TSMC使用2納米工藝，情況會發生轉變。三星有 望在5年內超過TSMC。” ● 天文數字般的設備投資競爭非常激烈 設備投資競爭也非常激烈。三星電子正在投資170億美元（約22.2萬億韓元）的美國得克 薩斯州泰勒市代工工廠和京畿平澤市代工新生產線將展開“框架優先”速度戰。其戰略是 ，先從生產線進駐的凈化室開始建設，確保空間後，根據今後的市場需求投入設備。因此 ，三星電子在2027年擁有的全部凈化室規模將是2021年的7.3倍。今年3月三星發表了20年 內在龍仁市投資300萬億韓元構建世界最大規模的系統半導體集群的計劃，27日與政府壹 起決定將集群工程時間從7年縮短到5年，縮短2年。 TSMC也在向尖端晶圓代工新工廠投入巨額資金。在美國亞利桑那州投資400億美元建設2個 代工廠的同時，在日本熊本也建設86億美元規模的新工廠。此外，熊本第二工廠、德國德 累斯頓工廠等也在討論之中。而晶圓代工後起之秀英特爾也接連在美國和歐洲等主要地區 發表以萬億為單位的新工廠計劃。 在“2納米工藝”時代即將到來之際，國家間、企業之間展開沒有硝煙的戰爭是因為晶圓 代工，其中5納米以下的尖端工藝是承諾高增長的未來核心市場。28日，據市場調查機構 Omdia透露，從今年開始到2026年為止，如果全世界半導體市場年均增長9.1%，晶圓代工 市場將增長12.9%。5納米以下的尖端工藝銷售額有望年均增長34.8%。據推算，以2026年 為基準，整個代工市場將達到1879億美元（約245.7萬億韓元），而5納米以下市場將達到 645億美元。 5.完整新聞連結 (或短網址)不可用YAHOO、LINE、MSN等轉載媒體: ※ 當新聞連結過長時，需提供短網址方便網友點擊 https://www.donga.com/tw/home/article/all/20230629/4255108/1 6.備註: ※ 一個人一天只能張貼一則新聞(以天為單位)，被刪或自刪也算額度內，超貼者水桶，請注意 ※ 備註請勿張貼三日內新聞(包含連結、標題等) -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 49.213.204.67 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Gossiping/M.1688216278.A.949.html