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[新聞] 梁孟松操刀 傳中芯以DUV開發3奈米
原文標題:梁孟松操刀 傳中芯以DUV開發3奈米
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原文連結:https://bit.ly/3NE50t0
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發布時間:2023/12/23 07:43
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記者署名:〔記者吳孟峰/綜合報導〕
※原文無記載者得留空
原文內容:
據《日經新聞》報導,儘管中國中芯國際由於美國制裁而無法獲得先進的晶片生產設備,在
開發7奈米製造後,據稱已成立一個研發團隊,致力於5奈米和3奈米級製程技術研究,據兩
位知情人士透露,該團隊由聯合執行長梁孟松領導。
梁孟松是台積電前資深研發處長,他於2009年初離開台積電後,率多位團隊成員投效韓國三
星,涉洩漏台積電營業秘密及人事資料,之後又被中芯國際挖角,2017年擔任中芯聯合首席
執行官,替中芯開發7奈米製程技術,對於被外界稱為台積電叛將,他曾不滿被貼上標籤,
哽咽表示為台積電賣命16年。
不過,台積電前首席法律顧問杜東佑(Dick Thurston) 今年早些時候曾告訴科技媒體EE T
imes,他說 :「沒有比這個人(梁孟松)更聰明的科學家或工程師了」、「他確實是我在
半導體領域見過的最聰明的人之一」。
中芯國際從中國的一家小型代工廠到成為業界第5大晶片代工商,在中美關係日益緊張的情
況下,該公司被列入美國商務部實體名單,無法使用領先的晶圓廠工具,嚴重減緩新製程技
術的採用和發展進度。
科技媒體tomshardware報導,由於中芯無法從ASML獲得極紫外線(EUV)曝光設備,因此只
能借重第二代7奈米製程深紫外線(DUV)曝光機。目前,ASML的Twinscan NXT:2000i曝光機
是中芯所擁有的最好的工具,可以蝕刻精細至38nm的生產解析度,精度等級足以適用7奈米
級製造。根據ASML和IMEC的數據,在5奈米製程中,金屬間距縮小至30–32nm,在3奈米製程
中,金屬間距則降至21–24nm。
Thurston認為,在聯合執行長梁孟松的領導下,中芯可以在不使用EUV工具的情況下生產5奈
米晶片,雖然業界也已多次聽到這類消息,然而,從媒體上傳出中芯有能力設計以DUV製造3
奈米級,這可能還算是第一次。
心得/評論:
中國又贏了?
大哥會緊張嗎?還是天方夜譚?
話說如果靠功耗真的可以堆出高效能。牙膏廠的14+++很厲害
不計生產成本的,良率高低,用DUV Double / Triple patterning 量產的半導體廠真令人
羨慕
※必需填寫滿30正體中文字,無意義者板規處分
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