[新聞] 台積電3奈米差點背鍋！最新爆料：i15發

1.媒體來源: 中時 2.記者署名: 郭宜欣 3.完整新聞標題: 台積電3奈米差點背鍋！最新爆料：i15發熱禍首是1零件 4.完整新聞內文: iPhone 15 Pro系列新機出現容易過熱的毛病，外界一度以為是台積電3奈米的問題，但蘋 果官方上周末發聲明表示，主要是iOS 17系統的漏洞與第三方應用程式（APP）交互作用 下所導致。此外，有業內人士爆料，罪魁禍首恐怕是規格升級的DRAM（動態隨機存取記憶 體）造成運行龐大負擔。 知名科技爆料者Revegnus在社群軟體X（原名Twitter）上引述一位熟悉蘋果半導體業務的 達人說法，「幾乎已經確定iPhone 15系列的DRAM是發燙的罪魁禍首，規格升級的DRAM為 了配合資料處理速度，消耗了更多電力，這個過程中就會產生熱。」 Revegnus也提到，該名業內人士認為，此問題可能會在一至兩個月內解決，並已經排除其 他會引起過熱的可能性。而TechInsights先前拆解iPhone 15 Pro新機後發現，搭載的 DRAM是美光最先進的D1β LPDDR5 DRAM晶片。 此前，南韓媒體將iPhone 15過熱原因指向台積電3奈米製程，並提到此跡象可能是FinFET 製程技術已經到達極限，而提早在3奈米轉進GAA製程的三星將有突破點，且如果市場對台 積電3奈米存疑，客戶可能會轉向或同時採用三星的產品，引起熱烈討論。 5.完整新聞連結 (或短網址)不可用YAHOO、LINE、MSN等轉載媒體: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20231002002786-260410?chdtv 6.備註: 騙人 蘋果怎麼可能會有問題 不是說更新iOS就可以解決了 一定是APP設計師的問題 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 111.253.189.3 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Gossiping/M.1696237255.A.B8F.html